Родился в 1939 году. 
Заведующий лабораторией “Рост полупроводниковых кристаллов” 

Область научных интересов:  
Взаимодействие примесей в алмазоподобных полупроводниках и физические основы выращивания кремния, арсенида галлия, алюминия-арсенида галлия, высокоомных, однородных и варизонных твердых растворов IV_1-x-IV_x, (IV₂)_1-x(A³B⁵)_x, (IV₂)_1-x(A²B⁶)_x, (IV₂)_1-x-y(A³B⁵)_x (A²B⁶)_y, а также гетероструктур на их основе.   

Образование:   
1957-1962 гг. – студент Самаркандского государственного университета  (бывший Государственный университет Узбекистана) 
1964-1966 гг. стажёр – исследователь Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН. 
1967-1969 гг. аспирантура в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН.   

Достижение:   
Защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук по теме «Пызогальваномагнитние явления в переходной области легирования полупроводников при низых температурах». Ленинград 1970 г.   
Защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Взаимодействий примесы в алмазоподобных полупроводниках и физические основы выращивание высокоомных однородных структур из жидкой фазы». 1983 г.    
1991 г. Профессор по специальности “физика полупроводников и диэлектриков”   

  Указ президента республики Узбекистана № УП-3912 23-августа 2007 г. “О присуждении Государственных премий республики Узбекистан 2007 года в области науки и техники, литература, искусства, и архитектуры” за признанные в международном масштабе за фундаментальные исследования, за работу “Новые полупроводниковые твердые растворы и примесные эффекты полупроводников”Лауреат Государственный премии Республики Узбекистан.   
Саидов Амин Сафарбаевич – известный физик в области полупроводниковых материалов. Он создал концепции «О существовании нового класса полупроводниковых непрерывних твердых растворов замещения и перспективах их применения». В данной концепции теоритически и экспериментально обоснована возможность образования новых твердых растворов за счет замещения молекулами или даже многоатомными комплексами второго компонента. При рассмотрении твердых растворов для разработки концепции выдвинуты следующие идеи: 

А) молекулярные элементы C₂, Si₂, Ge₂, Sn₂, их комбинации CGe, CSnSiGe, SiSn, GeSn и более сложные комбинации элементов, формирующиеся при определенных термодинамических условиях и не наблюдающиеся на традиционных диаграммах состояний, являются новыми химическими соединениями. 

Б) новые химические соединения и твердые растворы на их основе образуются при низкотемпературной кристаллизации эпитаксиальных слоев из газовой или жидкой фазы. 
В целях предсказания новых материалов предложена формула для растворимости в многокомпонентных системах, на основе которой сформулированы условия образования непрерывных твердых растворов замещения. Эти условия подразумевают равенство сумм валентностей и близких значений сумм ковалентных радиусов атомов молекул раствор–образующих компонентов. 

  В ходе разработки концепции предсказан широкий класс твердых растворов типа: 
(IV₂)_1-x(III-V)_x, (IV₂)_1-x(II-VI)_x, (IV₂)_1-x(I-VII)_x, (IV-IV)_1-x(III-V)_x, (IV-IV)_1-x(II-VI)_x, (IV₄)_1-x(II-IV-V₂)_x, (2III,V)_1-x, (II-IV-V₂)_x,(II-IV)_1-x(III₂)_xV₂, (I – VII номера группы в периодической системе химических элементов), охватывающих весь диапозон фундаментальных свойств полупроводниковых материалов, начиная с самых узкозонных (InSb)_1-x(Sn)_x до широкозонных сверхтвердых алмазных (C₂)_1-x(BN)_x твердых растворов. Особый интерес представляют собой группа твердых растворов, в которых происходит замещение многоатомными комплексами. Это связано с тем, что при формировании наноматериалов имеются структурные дефекты на границе между нанокластером и матрицей. В данном случае имеется возможность создания материала, не содержащего такие дефекты. 
Показана возможность выращивания гетероэпитаксиальных монокристаллических слоев алмаза на кремниевой подложке с использованием промежуточных слоев соответствующих непрерывных твердых растворов. 
Предсказаны возможные твердые растворы карбида кремния. На основе растворимости и адсорбции рассмотрены рост эпитаксиальных слоев и стабильность политипов карбида кремния в присутствии примесей. 

На основе концепции молекулярного обмена элементарных полупроводников с соединениями III-V и II-VI теоретически обосновал и синтезировал на кремниевых подложках пять новых классов полупроводниковых варизонных непрерывных твердых растворов:
   
1-класс IV_1-x IV_x: Si_1-xGe_x, Si_1-x Sn_x, Ge_1-x Sn_x; 
2-класс (IV₂)_1-x(А^IIIВ^V)_x: (Ge₂)_1-x(GaAs)_x, (Si₂)_1-x(GaP)_x, (Ge₂)_1-x(InP)_x, (Sn₂)_1-x(InSb)_x, (Si₂)_1-x(GaSb)_x, (Si₂)_1-x(GaAs)_x; 
3-класс; (IV₂)_1-x(А^IIВ^VI)_x: (Ge₂)_(1-x)(CdTe)_x, (Ge₂)_1-x(ZnSe)_x, (Si₂)_1-x(ZnS)_x, (Si₂)_1-x(CdS)_x, (Si₂)_1-x(ZnSe)_x; 
4–класс; (IV₂)_1-x-y(А^IIIВ^V)_x(А^IIВ^VI)_y: (Ge₂)_1-x-y(GaAs)_x(ZnSe)_y, (ZnSe)_1-x-y(Si₂)_x(GaP)_y. 
5–класс; (А^IIIВ^V)_1-х(А^IIВ^VI)_х: (GaAs)_1-x(ZnSe)_x. 

Обоснована возможность использования части предсказанных кремний содержащих твердых растворов в качестве буферных слоев при разработке высокоэффективных монолитных каскадных солнечных элементов на основе кремния. Другая часть из них предложена для разработки тонкопленочных солнечных элементов. Предложены также твердые растворы для разработки фотоэлементов термофотовольтаическых систем, преобразующих тепловое излучение источников в электричество. 
Определены степень кристаллического совершенства, электрические, фотоэлектрические и оптические свойства выращенных твердых растворов. 

Выяснены закономерности распределения компонентов твердых растворов по толщине выращенных слоев в зависимости от технологических условий, позволивших получить варизонные твердые растворы с заданным градиентом концентрации. Методом жидкофазной эпитаксии на кремниевой подложке и раствора расплава легкоплавких металлов получены следующие гетерострукты рSi-n(Ge₂)_1-x(GaAs)_x, рSi-n(Si₂)_1-x(ZnSe)_x, рSi-n(Si₂)_1-x(CdS)_x, рSi-n(Si₂)_1-x(GaP)_x, рSi-n(Ge₂)_1-x(InSb)_x, рSi-n(Si₂)_1-x(ZnS)_x, рSi-n(Si₂)_1-x(CdTe)_x на германиевой подложке Ge-(Ge₂)_1-x(GaAs)_x на арсенид галлиевой подложке GaAs-(Ge₂)_1-x(ZnSe)_x, на фосфид галлиевой подложке GaP-(Si₂)_1-x-y(GaP)_x(ZnSe)_y. Определены электрические и фотоэлектрические свойства полученных гетероструктур. Выяснены особенности кристаллического совершенства границ гетероструктур и сглаживания параметра решетки компонентов и образования пригодных буферных слоев между подложкой и твердым раствором. 
Обнаружены энергетические уровни молекул - Si₂, Ge₂, GaP, расположенные внутри запрещенной зоне более широкозонного полупроводникового соединения А^IIIВ^V и А А^IIВ^VI, а также уровни молекул - GaAs, CdS, ZnSe, расположенные внутри валентной зоны более узкозонного полупроводникового материала. 

Впервые в мировой практике экологически чистым методом -переплавкой на солнечной печи получил кремний с чистотой 99,9% из металлургического кремния c чистотой 96%, и  впервые обнаружил тепловольтаический и фототепловольтаический эффекты в очищенном техническом кремнии (99,9% ) и в новых твердых растворах. В настоящее время профессор Амин Саидов занимается синтезом новых твердых растворов на кремниевых подложках с квантовыми точками и квантовыми ямами и выращиванием гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии, которые могут быть использованы для создания фотоэлементов, работающих в диапазоне длин волн 0,545–1 мкм, при температурном диапазоне 70-80 ^оС и светодиодов красного, желтого и синего света на их основе.