Лейдерман Ада Юльевна

Родилась в 1936 году.
С 2007 года - Главный научный сотрудник

Область научных интересов:
инжекционные и фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах на их основе; взаимодействие примесей и дефектов в полупроводниках; процессы самоорганизации и синергетические явления в полупроводниках с примесями и дефектами;

Образование:
1952-1957 гг. – студент Среднеазиатский государственный университет (нас. вер. НУУз)

Достижение:
Защищает диссертацию на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук по теме «К теории работы p-i-n-структур». 1964 г.
Защищает диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Неравновесные амбиполярные процессы в полупроводниках с межпримесными и дефект-примесными комплексами». 1988 г.

Награждена орденом «Дустлик» 2005 г.
· Теоретически предсказана зависимость тока от напряжения вида , которая нашла экспериментальное подтверждение в светодиодах, изготавливаемых из карбида кремния и фосфида индия в НИИ “Сапфир” (Москва).
· Создана обобщенная теория двойной инжекции на основе которой опубликованы монографии:
· Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. –М.: -Советское Радио, 1978. -320с.
· Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. -Ташкент: -Фан, 1978. -320с.
· Теоретически предсказан эффект инжекционного обеднения, который нашел экспериментальное подтверждение на различных материалах и структурах, разработанных в ФТИ НПО “Физика- Солнце”АН РУз (Ташкент), ФТИ им. Иоффе (Санкт-Петербург), ИПАН (Киев) в Институте физики высоких давлений (Красная пахра), ФИАН (Москва) и др.
· Теоретически предсказана экспоненциальная зависимость тока от напряжения с показателем экспоненты ¾ для p-i-n-структур изготовленных из аморфного кремния, которая нашла экспериментальное подтверждение на структурах, изготовленных в ФТИ НПО “Физика- Солнце”АН РУз (Ташкент), ФТИ им. Иоффе (Санкт-Петербург).
· Теоретически предсказаны 3 новых синергетических эффекта для полупроводников с глубокими примесями и дефектами, главная суть которых развитие термостимулированных синергетических процессов, заключающихся в возникновении токов и напряжений при однородном нагреве образцов с простыми омическими контактами:
· Генерация токов и напряжений при нагревании поликристаллического кремния, полученного многократной переплавкой технического кремния на солнечной печи.
· Генерация синергетических токов и напряжений при однородном нагреве образцов с простыми омическими контактами, изготовленными из полупроводников типа А^IIIB^V , обладающих n-типом проводимости и выращенных по методу Чохральского.
· Термостимулированные токи и напряжения в варизонных полупроводниках.
За время работы ею подготовлены 9 кандидатов и 2 доктора наук.

Публикации:
3 монографии, 3 монографических сборника, более 190 статей и 3 изобретения.