Мирсагатов Ш.А., Музафарова С.А., Ачилов А.С., и др. Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо.

В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al2 O3 и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x -(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 D. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации.

Download