Ачилов А.С. , Мирсагатов Ш.А., Заверюхин Б.Н. Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур основе на CdTe.

Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОПэлементы: фронтальный Al-n-Al2 O3 -p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3 -p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). Механизм возникновения СУ связан с инжекцией электронов из тыловой области структуры и возникновением в базе (p-CdTe) встречных диффузионных и дрейфовых токов, компенсирующих друг друга. Эти физические процессы приводят к возрастанию сопротивления базы в широком диапазоне напряжения смещения Vb ~ 0,3—70 V, где ток I остается почти постоянным (~6,7·10–7 A/cm2 в начале и ~6,9·10–7 A/cm2 в конце диапазона). Установлено, что в начале СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксационные процессы переноса обуславливаются рекомбинацией неравновесных носителей, инжектированных в базу, а в конце СУ (Vb ~ 70 V) такие процессы целиком определяются временем пролета неравновесных носителей через базу.

Download