Duplicate of Cultivation of solid solution films (Si2) 1-x (ZnSe) x (0 ≤ x ≤ 0.01) and investigation of their structural and photoelectric properties.

Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Kalanov M.U. et al. CULTIVATION OF SOLID SOLUTION FILMS (Si2) 1-x (ZnSe) x (0 ≤ x ≤ 0.01) AND INVESTIGATION OF THEIR STRUCTURAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES. // "Alternative Energy and Ecology". 2013. № 15 (137).

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращивались эпитаксиальные слои твердого раствора (Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ х ≤ 0,01) n-типа проводимости на Si подложках. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур pSi–n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0,01). Показано, что эпитаксиальная пленка (Si2)0,09(ZnSe)0,01 имеет совершенную монокристаллическую структуру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 52 нм. Наблюдается сдвиг края фоточувствительности гетероструктуры pSi–n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0,01) в коротковолновую сторону по сравнению с pSi–nSi структурами.\

Epitaxial layers of the solid solution (Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ х ≤ 0.01) n-type conductivity were grown on Si substrates by liquid phase epitaxy from limited volume of tin solution-melting. The structure of the epitaxial films and the spectral dependence of photosensitivity of heterostructures pSi–n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) were researched. It is shown that the epitaxial film (Si2)0.09(ZnSe)0.01 has perfect monocrystal structure of (111) orientation with the size of subcrystallites 52 nm. A replace of the photosensitivity of the heterostructure pSi–n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) toward shorter wavelengths (compared with pSi–nSi structures) was observed.

Download